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    SiC激光退火設備

    SiC激光退火設備

    產品特點 1.整機模塊化設計與集成,兼容4、6、8英寸薄片晶圓;
    2.集成自研成熟先進激光整形技術,光斑能量高度均勻、穩定;
    3.退火后表面均勻、平整,優秀的電學特性及表面形貌特征表現;
    4.嚴格控制腔體含氧量,有效控制表面碳析出量和分布;
    5.配置監控與補償系統,監測光學能量穩定性和非退火面溫度;
    6.配備EFEM傳輸系統,整機符合SEMI標準,支持SECS-GEM通信。

    產品應用

    適用于對重摻雜碳化硅(SiC)表面沉積的過渡金屬進行退火,形成良好的歐姆接觸。


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    產品參數

    可加工品圓尺寸
    4inch、6inch、8inch
    薄片退火支持
    光斑整形平頂光
    光斑均勻性>95%
    能量穩定性≤1%
    比電阻接觸率≤5×10^(-5)Ω.cm2
    表面溫度Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
    腔體含氧量N2/Ar: 99.99%,<100ppm@25s
    運動平臺精度

    直線度:±1μm

    重復定位精度:±1μm

    品圓傳輸

    Automatic transferring

    (compatible to wafer or wafer/w carrier)


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